先用不見得先贏

                                     英特爾宣布率先導(dǎo)入天價(jià)高數(shù)值孔徑極紫外光顯影設(shè)備（High NA EUV）之后，臺(tái)積電何時(shí)導(dǎo)入最新微影設(shè)備一直是市場焦點(diǎn)，業(yè)界人士分析，最新High NA EUV報(bào)價(jià)達(dá)4億歐元，“先用不見得先贏”，重要的是，客人愿不愿意接受與成本能否快速轉(zhuǎn)為獲利。

                                     業(yè)界分析，High NA EUV新一代相較當(dāng)前 EUV 設(shè)備1.5億歐元，造價(jià)與成本大幅提高1.66倍，各大廠何時(shí)使用，取得后如何平衡生產(chǎn)與成本都是各界關(guān)注焦點(diǎn)。

                                     從成本角度上，業(yè)界分析，High NA EUV若能又快又好又準(zhǔn)且具性價(jià)比之下，商用才有加速可能，畢竟以新款EUV價(jià)格換算，若開光罩模具換算一片成本恐1,000萬，若30層光罩則要3億元，恐怕要財(cái)大氣粗、大金主的客人才花得起光罩費(fèi)，光是這部分，就是轉(zhuǎn)進(jìn)新設(shè)備的瓶頸。

                                     此外，半導(dǎo)體先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn)，業(yè)界從3奈米已明顯感受到成本上升的壓力，不僅2奈米晶圓代工報(bào)價(jià)恐高達(dá)3萬美元（折合新臺(tái)幣約93.28萬元），較3奈米近約2萬美元成長50%，創(chuàng)下新天價(jià)。

                                     業(yè)界推測，若發(fā)展至1奈米等級(jí)以下埃米制程，報(bào)價(jià)恐上看5-6萬美元天價(jià)，將讓率先轉(zhuǎn)進(jìn)使用的大廠愈來愈少，成本控制成為當(dāng)務(wù)之急。

                                     先進(jìn)晶圓廠成本增加，主因下世代EUV微影設(shè)備系統(tǒng)數(shù)量增加，大幅提高每片晶圓和每單位晶圓成本。