艾司摩爾：EUV可助節(jié)電 100度電生產(chǎn)晶圓省電200度

                           （中央社記者張建中臺(tái)北2024年9月6日電）艾司摩爾的EUV設(shè)備為半導(dǎo)體先進(jìn)制程的關(guān)鍵設(shè)備，卻有高耗電疑慮。艾司摩爾強(qiáng)調(diào)，EUV技術(shù)可簡(jiǎn)化制程工序，有助降低生產(chǎn)晶圓的用電量，估計(jì)2029年使用ASML微影技術(shù)生產(chǎn)晶圓每使用100度電，將為整體制程節(jié)省200度電。

                             艾司摩爾（ASML）今天分享新一代高數(shù)值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術(shù)，表示透過採(cǎi)用新的光學(xué)元件，將數(shù)值孔徑從0.33提升至0.55，將提供更高的成像解析度，讓晶片制造商可以在同樣單位面積的晶片上實(shí)現(xiàn)較現(xiàn)今高出2.9倍的電晶體密度；且成像對(duì)比度較EUV提高40%，可大幅降低成像缺陷。

                             艾司摩爾High NA EUV產(chǎn)品管理副總裁史托姆斯（Greet Storms）說，客戶透過導(dǎo)入High NA EUV，將可減少量產(chǎn)邏輯和記憶體晶片的制造工序，降低制程缺陷、成本和生產(chǎn)週期。High NA EUV將與EUV在設(shè)計(jì)方面有通用性，可降低客戶的導(dǎo)入風(fēng)險(xiǎn)和研發(fā)成本。

                             艾司摩爾High NA EUV微影系統(tǒng)已于去年底開始陸續(xù)出貨，每小時(shí)可曝光超過185片晶圓，將支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產(chǎn)。

                             史托姆斯說，ASML現(xiàn)在所有客戶未來也會(huì)是High NA EUV的客戶，并已下訂單，ASML將與客戶緊密合作，預(yù)計(jì)2026年會(huì)邁向量產(chǎn)。

                              針對(duì)外界對(duì)于能耗的疑慮，艾司摩爾指出，先進(jìn)制程晶片制造導(dǎo)入EUV技術(shù)可簡(jiǎn)化制程工序、減少光罩?jǐn)?shù)量，達(dá)到產(chǎn)能和良率提升，并進(jìn)而降低生產(chǎn)晶圓的用電量。

                              據(jù)估計(jì)，至2029年在先進(jìn)制程中導(dǎo)入艾司摩爾EUV和High NA EUV微影系統(tǒng)，生產(chǎn)晶圓每使用100度電，將可為整體制程節(jié)省200度電。

                               艾司摩爾強(qiáng)調(diào)，不斷致力透過研發(fā)創(chuàng)新降低能源消耗，并透過與客戶密切合作，在提高生產(chǎn)力的同時(shí)，減少制造每片晶圓所產(chǎn)生的能耗。自2018年至2023年，EUV曝光每片晶圓的能耗減少近40%，預(yù)計(jì)2025年再減少能耗約30%至35%。（編輯：張良知）