輝達B系列有解 埃米機臺將到手 臺積先進制程雙喜臨門

                             臺積電先進制程利多二連發(fā)！供應鏈消息透露，輝達（NVIDIA）Blackwell修改6層Metal layer（金屬層）光罩，不用重新流片（tape-out）再投產，遞延生產時間有限，樂觀估計GB200于12月量產，明年第一季大量交付ODM。另外，ASML的High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影系統(tǒng)）設備將于9月首度抵臺、傳出將直送交臺積電全球研發(fā)中心，搶先布局埃米時代。

                             人工智慧（AI）及高效能運算（HPC）需求強勁，對先進封裝技術的要求也隨之提高，GB200遞延消息成為AI產業(yè)最大的多空指標；相關業(yè)者透露，Blackwell晶片金屬層在高壓制程下遇到不穩(wěn)定情況，因此針對問題修正，該事件于7月便已克服，加上情況發(fā)生在后道工序（Back-of-Line），研判毋須重新流片生產。但目前仍卡關在CoWoS-L產能，今年仍以S為大宗。

                             不過，改版的B200將在10月下半年完成，GB200可望順利于12月進入量產，明年第一季便能大量交付ODM業(yè)者。法人表示，臺積電CoWoS產能持續(xù)滿載，GB200延后對營運無影響，而相關產能更加足馬力擴充，CoWoS-L為首要建置目標，相較于S之99％之良率，L約略低于其8個百分點。

                             在先進制程部分，3奈米臺積電幾乎一統(tǒng)江湖，法人估計，明年1月1日先進制程漲價6％，美系手機客戶則調升3％。2奈米臺積電保持穩(wěn)健步伐，預計能在規(guī)模上領先競爭對手。

                             此外，供應鏈透露，臺積電訂購之ASML High-NA EUV設備將于本月抵臺，初號機作為實驗用，將會以新竹寶山全球研發(fā)中心率先擁有；臺積電于SEMICON釋出后CFET（互補式場效電晶體）時代路徑圖，比利時微電子研究中心（imec）透露A14制程開始，為追求更小的金屬層間距（Metal pitch），即會開始使用High-NA EUV，對照臺積電于2026年以EUV量產A16，外界猜測A14開始將以High-NA EUV為主。

                             臺積電逐漸于軍備競賽取得領先地位，對手傳出在愛爾蘭半導體園區(qū)進行人力精簡政策，業(yè)內專家指出，愛爾蘭所屬Fab 34于去年甫新廠落成啟動，掌握極紫外光EUV技術，恐將失去部分產能；不過將精力投注在埃米時代戰(zhàn)場，是目前最佳的策略選擇。