SK海力士衝記憶體晶片 報捷

                                     全球第二大記憶體晶片制造商SK海力士26日宣布，最新一代12層HBM3E晶片已開始量產(chǎn)，預計今年底前開始交貨，更加奠定該公司在輝達供應鏈中的地位，激勵股價在26日收盤暴漲9％，創(chuàng)1年多來最大漲幅。

                                     SK海力士自2013年推出全球首款HBM以來，便是全球唯一一家開發(fā)并供應從第一代（HBM）到第五代（HBM3E）完整HBM產(chǎn)品線的公司。今年3月SK海力士才剛宣布8層HBM3E開始交貨，短短6個月后又宣布開始量產(chǎn)12層HBM3E，再次凸顯SK海力士在先進記憶體晶片市場的實力。

                                     SK海力士宣稱12層HBM3E容量達到36GB，較8層HBM3E容量擴大1倍，是目前容量最大的HBM，但與8層HBM3E維持在相同厚度。SK海力士為此將每片DRAM晶片厚度減少40％，并使用硅穿孔技術(shù)（TSV）進行垂直堆迭。

                                     SK海力士于新聞稿中表示，12層HBM3E無論在速度、容量和穩(wěn)定性等AI記憶體至關重要的領域，皆達到全球最高標準。12層HBM3E的記憶體操作速度提升至9.6Gbps，是目前市面上最高記憶體速度。

                                     以Meta開發(fā)的大規(guī)模語言模型“Llama 3 70B”為例，若由內(nèi)建4個SK海力士HBM3E的單一GPU驅(qū)動，可在1秒內(nèi)讀取700億個參數(shù)共35次。

                                     全球三大記憶體晶片大廠為了搶攻AI市場正加緊腳步發(fā)展HBM，除了SK海力士率先搶下多數(shù)輝達訂單之外，三星電子也在7月宣布12層HBM3E做好量產(chǎn)準備，預計今年下半開始交貨。

                                    美光也在近日表示HBM需求旺盛促成上季營收、獲利優(yōu)于預期，并發(fā)表樂觀財測。好消息接二連三推動亞洲記憶體相關類股在26日強力反彈，東京威力科創(chuàng)在收盤上漲8％，愛德萬測試（Advantest）大漲5％，三星上漲4％。