力積電退出日本合作計畫

                          晶圓代工大廠力積電與日本SBI控股株式會社（SBI）合建12吋晶圓代工廠計畫生變。外媒報導(dǎo)，力積電確定退出日本晶圓廠合作計畫，SBI將另找合作伙伴。

                          力積電針對此事回應(yīng)，此案為Fab IP模式，力積電提供建廠顧問、人員培訓(xùn)以及技術(shù)移轉(zhuǎn)，并向合作方日商收取服務(wù)費(fèi)、權(quán)利金。

                           因SBI向日本經(jīng)產(chǎn)省申請設(shè)廠補(bǔ)貼，獲日本政府支持，但經(jīng)產(chǎn)省補(bǔ)貼政策規(guī)定，獲得補(bǔ)貼的廠商需保證新廠必需連續(xù)量產(chǎn)十年以上，金融業(yè)出身的SBI方面并無半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，經(jīng)產(chǎn)省要求力積電必需共同承擔(dān)保證責(zé)任。

                           力積電表示，在臺灣掛牌上市，為沒有主導(dǎo)性持股的日本新廠保證營運(yùn)，將違反臺灣證券交易法。力積電董事會已于月前董事會確認(rèn)停止日本新廠合作計畫，并派員前往經(jīng)產(chǎn)省當(dāng)面向主管官員說明，亦已發(fā)函告知SBI此訊息。

                           力積電表示，本案屬于收費(fèi)服務(wù)、技術(shù)移轉(zhuǎn)的Fab IP模式，力積電退出蓋廠，與力積電本身盈虧無因果關(guān)係。

                           力積電2023年和SBI成立合資公司，同年10月宣布在宮城縣建設(shè)半導(dǎo)體工廠，預(yù)計2027年量產(chǎn)，以車用半導(dǎo)體為主，計劃總投資額為8,000億日圓，日本政府在初期投資階段提供最多1,400億日圓的補(bǔ)助。

                           當(dāng)時力積電董事長黃崇仁說，力積電是唯一具備記憶體與邏輯技術(shù)能力的專業(yè)晶圓代工公司，以自行開發(fā)之22奈米與28奈米以上制程及晶圓堆迭（Wafer on Wafer）技術(shù)，滿足未來AI邊緣運(yùn)算所產(chǎn)生的多重應(yīng)用，補(bǔ)強(qiáng)本土車用晶片的缺口，也進(jìn)一步推進(jìn)力積電產(chǎn)銷國際化。