臺(tái)積先進(jìn)封裝 明后年主打星

                                           手機(jī)晶片大戰(zhàn)如火如荼開(kāi)打，三大廠精銳盡出、各領(lǐng)風(fēng)騷，高通、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果各自擁護(hù)者，皆採(cǎi)用臺(tái)積電第二代三奈米N3E制程打造，越發(fā)考驗(yàn)IC業(yè)者自身設(shè)計(jì)、架構(gòu)能力。供應(yīng)鏈透露，截至目前為主，明年尚未有手機(jī)晶片採(cǎi)用2奈米，旗艦級(jí)晶片依舊以3奈米制程，儘管為第三代N3P，然而理論速度并未明顯提升。

                                            針對(duì)該情況，臺(tái)積電透過(guò)先進(jìn)封裝打造另一大獲利來(lái)源，明、后年由封裝業(yè)務(wù)衝刺營(yíng)運(yùn)。

                                            明年的手機(jī)旗艦晶片仍採(cǎi)用臺(tái)積電3奈米制程，不過(guò)會(huì)從今年N3E提升至N3P制程。依據(jù)臺(tái)積揭露訊息，相對(duì)N3E制程N(yùn)3P在理論速度提升5％，功耗則下降5～10％，電晶體密度提高4％；因此業(yè)界預(yù)估，明年手機(jī)SoC還是有所提升的，但幅度并不會(huì)太大。

                                            業(yè)者表示，採(cǎi)用3奈米成本為最大考量，今年安卓陣營(yíng)旗艦機(jī)種價(jià)格皆有調(diào)漲，但市場(chǎng)熱度依舊不減，以vivo x200首發(fā)來(lái)看，銷(xiāo)量并未受到影響。

                                            供應(yīng)鏈指出，3奈米流片費(fèi)用約為6.5億美元，2奈米更加高昂，現(xiàn)階段僅蘋(píng)果M系列晶片切入，并搭配SoIC先進(jìn)封裝技術(shù)、領(lǐng)銜行業(yè)。

                                            臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家指出，現(xiàn)在仍有非常多客戶(hù)對(duì)2奈米有興趣，相對(duì)3奈米同期需求更多，但他也不諱言Chiplet會(huì)成為2奈米的替代方案而減少對(duì)2奈米的需求。業(yè)界分析，臺(tái)積電早已預(yù)見(jiàn)該情況，因此積極發(fā)展先進(jìn)封裝，不只是CoWoS，SoIC、Chiplet小晶片封裝，會(huì)使臺(tái)積突破先進(jìn)制程極限。

                                            先進(jìn)封裝已占臺(tái)積電營(yíng)收之7％～9％，計(jì)入未來(lái)五年將在先進(jìn)封裝上的大幅投入，將成為臺(tái)積營(yíng)運(yùn)第二隻腳。法人分析，臺(tái)積電CoWoS的月產(chǎn)能今年將達(dá)到每月3.5～4萬(wàn)片Wafer、明年將成長(zhǎng)至8萬(wàn)片，2026年可望達(dá)到14～15萬(wàn)片，未來(lái)占到3成營(yíng)收，毛利率同步追上平均水準(zhǔn)，有效延續(xù)摩爾定律。

                                            業(yè)內(nèi)人士點(diǎn)出，從臺(tái)積電年報(bào)可看出，重大風(fēng)險(xiǎn)從外部競(jìng)爭(zhēng)移轉(zhuǎn)至地緣政治，這顯示進(jìn)入行業(yè)龍頭之后的發(fā)展，將缺少來(lái)自外部強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)；追求卓越、超越自己，避免擠牙膏是臺(tái)積步入下階段最大阻力。