臺積先進(jìn)制程 加速赴美

                                    美國商務(wù)部日前拍板補(bǔ)助臺積電亞利桑那州廠（TSMC Arizona）66億美元設(shè)立三座晶圓廠，并依據(jù)完工情況支付補(bǔ)助金。其中，TSMC Arizona第三廠（Fab 3）規(guī)劃先進(jìn)制程除2奈米外，A16奈米片（Nanosheet）制程赫然在列。

                                    TSMC Arizona總投資規(guī)模上看650億美元（約新臺幣2.11兆元），第一座4奈米晶圓廠2025年上半年開始生產(chǎn)，第二座2奈米制程晶圓廠，將採下一世代奈米片電晶體結(jié)構(gòu)技術(shù)，預(yù)計2028年量產(chǎn)。第三座晶圓廠將在21世紀(jì)20年代底採用2奈米或更先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)。

                                    臺積電董事長暨總裁魏哲家在美商務(wù)部新聞稿中，首度以Accelerate（加速）說明美國布局，邁入美國《晶片與科學(xué)法》（CHIPS and Science Act）這個階段，對強(qiáng)化美國半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)是很關(guān)鍵的一步，此次協(xié)議簽署將助力我們發(fā)展在美國境內(nèi)最先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)。

                                    臺積電表示，TSMC Arizona位處美國境內(nèi)（Onshoring）半導(dǎo)體制造最前線，對提升美國競爭力和其在5G/6G及AI時代的領(lǐng)導(dǎo)地位，是至關(guān)重要的角色。

                                 “美國制造”成顯學(xué)，業(yè)界認(rèn)為補(bǔ)助一出，將全速推進(jìn)美國最先進(jìn)半導(dǎo)體制程發(fā)展，臺廠一則以喜一則以憂，喜的是設(shè)備廠包括家登及中砂等將加速赴美設(shè)廠，國際化布局成形，憂的是“臺灣硅盾”優(yōu)勢逐步稀釋。

                                     臺積電A16被視為強(qiáng)化版2奈米，惟加入超級電軌（Super Power Rail）全新電晶體架構(gòu)，意謂又一關(guān)鍵技術(shù)將複制到美國廠。

                                     從臺積電迭代制程演進(jìn)觀察，4/5奈米制程2020年量產(chǎn)，與明年美國第一廠量產(chǎn)間隔五年；若第二廠開始包含2奈米，預(yù)定2028年量產(chǎn)，與表定臺灣2025年量產(chǎn)僅間隔三年，追趕時間差縮短，A16擬2026年量產(chǎn)，將投放美國廠，但臺灣屆時應(yīng)已推進(jìn)至A14，最先進(jìn)仍留臺灣。

                                     知情人士透露，到年底美商務(wù)部至少向臺積電發(fā)放10億美元，更嚴(yán)格的監(jiān)管也隨之而來。美商務(wù)部文件載明，臺積電除非特殊情況，否則五年內(nèi)不得回購股票；如果專案獲利情況超過預(yù)期，申請人需在達(dá)到約定的門檻后向政府返還一定比例資金，相當(dāng)于領(lǐng)取分紅。該部分指子公司TSMC Arizona，估計對母公司影響不大。（相關(guān)新聞見A6）