英特爾新技術(shù) 叫陣臺(tái)積

                                                          英特爾營運(yùn)陷入低潮，公司仍力圖反撲，在業(yè)界重量級(jí)會(huì)議“2024年IEEE國際電子元件會(huì)議”發(fā)表一系列先進(jìn)技術(shù)，包括透過使用新材料減材釕（subtractive Ruthenium）以提升電晶體容量達(dá)25％，同時(shí)使用先進(jìn)封裝的異質(zhì)整合解決方案，首次讓吞吐量提高100倍，實(shí)現(xiàn)超快速晶片對(duì)晶片組裝，持續(xù)叫陣臺(tái)積電。

                                                          在英特爾發(fā)表的一系列先進(jìn)技術(shù)當(dāng)中，以採用減材釕來強(qiáng)化晶片間訊號(hào)連接速度，讓先進(jìn)封裝后訊號(hào)傳輸速度將可望快上100倍，最受關(guān)注。

                                                          法人看好，臺(tái)廠當(dāng)中，貴金屬材料廠光洋科是臺(tái)灣進(jìn)口釕數(shù)量最大的代理商，未來隨著釕在半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)扮演要角，光洋科將優(yōu)先受惠，后續(xù)業(yè)績有望進(jìn)入高速成長期。

                                                          英特爾表示將使用減材釕提升薄膜電阻及降低氣隙效應(yīng)，讓曝光制程時(shí)能減少氣隙排除區(qū)，且提高蝕刻準(zhǔn)確度。業(yè)界說明，釕（Ru）是鉑金的附屬產(chǎn)品，跟鉑金很像，特性是穩(wěn)定性極佳，因此主要應(yīng)用在硬碟儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)。

                                                          英特爾強(qiáng)調(diào)，減材釕是一種新的關(guān)鍵替代金屬化材料，該公司相關(guān)團(tuán)隊(duì)在研發(fā)測試工具中展示具備成本效益，且適用于大量生產(chǎn)的減材釕整合制程。採用具備氣隙特性的減法釕，可在間距小于或等于25奈米時(shí)，降低線間電容幅度達(dá)25％，凸顯出金屬化方案的減材釕在緊密間距中替代銅鑲嵌的優(yōu)勢。此一解決方案將會(huì)出現(xiàn)在英特爾晶圓代工未來的制程節(jié)點(diǎn)中。

                                                          另外，為進(jìn)一步推動(dòng)環(huán)繞式閘極（GAA）微縮，英特爾晶圓代工也展示硅RibbonFET CMOS與用于微縮2D FET的閘極氧化物模組的工作成果，可提高元件效能。