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DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

CSD17581Q5A型號N溝道MOS管采用DFN5X6-8L封裝，小巧輕便，散熱性能佳，適用于高集成度電路設(shè)計。器件額定電壓VDSS為30V，可承載高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)卓越的功率處理能力。其突出特點是導(dǎo)通電阻低至3.5mR，有助于提升系統(tǒng)能效并降低功耗。

SIRA12DP-T1-GE3

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

SIRA12DP-T1-GE3型號N溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼顧小型化與高效散熱性能，特別適合于高集成度電路設(shè)計。器件支持30V額定電壓VDSS，提供高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)了卓越的功率處理能力。其導(dǎo)通電阻僅為3.5mR，極大提升了能源轉(zhuǎn)換效率，降低了系統(tǒng)損耗。

IRFH8324PBF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

IRFH8324PbF型號N溝道MOS管，采用先進的DFN5X6-8L封裝形式，結(jié)合了高效散熱與小型化特點。器件額定電壓VDSS為30V，支持高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，展現(xiàn)了卓越的功率處理能力。其低至3.5mR的導(dǎo)通電阻，有效提升了能源轉(zhuǎn)換效率，減少了系統(tǒng)損耗。廣泛應(yīng)用在快速充電設(shè)備、大電流開關(guān)電源等領(lǐng)域，出廠前歷經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)量測試，確保在各類苛刻環(huán)境中提供穩(wěn)定、高效的性能輸出。

FDS6930B

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDS6930B是一款高性能N+N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，專為現(xiàn)代高功率密度電子設(shè)備提供卓越的電流處理能力。其關(guān)鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可穩(wěn)定傳導(dǎo)6A的漏極電流；得益于其25mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，顯著降低了系統(tǒng)功耗，提升了整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您追求高效率與節(jié)能設(shè)計的理想MOS管器件選擇。

SI1012X-T1-GE3

SOT-523

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

SI1012X-T1-GE3是一款采用先進SOT-523封裝技術(shù)的高性能N溝道MOS管。器件具有強大而穩(wěn)定的電氣性能，額定電壓VDSS高達(dá)20V，可持續(xù)提供0.8A的最大電流ID，同時擁有出色的導(dǎo)通電阻RD(on)低至100mR，確保高效低耗運行。這款MOS管廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載驅(qū)動、便攜設(shè)備以及智能硬件領(lǐng)域，憑借其卓越的性能和緊湊封裝，為用戶在設(shè)計過程中實現(xiàn)最佳的功率管理方案。

SM95N03AD1RL

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

SM95N03AD1RL是一款N溝道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封裝，專為高密度、高性能電路設(shè)計。該器件能在30V電壓VDSS下穩(wěn)定工作，提供高達(dá)80A的連續(xù)電流，確保強大而穩(wěn)定的電力傳輸。其獨特優(yōu)勢在于擁有4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效降低了功率損耗，提高了整體能效。SM95N03AD1RL適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、以及其他要求高效低耗的半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。

FDMS0312AS

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

FDMS0312AS是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝技術(shù)，專為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計。在30V電壓VDSS下，該器件能夠穩(wěn)定處理高達(dá)80A的連續(xù)電流，體現(xiàn)卓越的電流承載能力。其關(guān)鍵特性在于僅有4.3mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，顯著提升能效，減少系統(tǒng)損耗。FDMS0312AS適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、以及其他需要高效半導(dǎo)體組件的場合。

NVTFS015N04C

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

NVTFS015N04CN溝道MOS管采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，提供出色的散熱性能和空間節(jié)省優(yōu)勢。該器件支持40V的工作電壓VDSS，具備處理60A連續(xù)漏極電流ID的能力，特別適用于高電流應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至6.9mΩ，顯著減少系統(tǒng)功率損耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、新能源等領(lǐng)域，NVTFS015N04CMOS管是實現(xiàn)高效、節(jié)能半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵組件。

NVTFWS015N04C

DFN-8L(3x3)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

NVTFWS015N04CN溝道MOS管采用小型DFN3X3-8L封裝，集成了高效散熱和空間優(yōu)化特性。器件支持40V工作電壓VDSS，能夠承載60A的大電流ID，特別適應(yīng)于高電流應(yīng)用場合。其核心亮點在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為6.9mΩ，助力系統(tǒng)降低功耗、提升能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，NVTFWS015N04CMOS管是設(shè)計者實現(xiàn)高效、節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體元件選擇。

DMP3020LSS

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

DMP3020LSS是一款采用SOP-8封裝的高性能P溝道MOS管，專為高效能應(yīng)用設(shè)計。其擁有30V的漏源電壓VDSS和11A的連續(xù)電流ID承載力，尤其適合于中大電流開關(guān)電路。導(dǎo)通電阻RD(on)低至12.5mR，有效減少了功率損耗，提升了整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池保護模塊等領(lǐng)域，是實現(xiàn)低損耗、高效率電路的理想選擇。

FDS6670A

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

FDS6670A是一款高性能N溝道MOSFET，采用SOP-8封裝形式，專為高效率、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件擁有30V的最大漏源電壓VDSS，可承載高達(dá)18A的連續(xù)漏極電流ID，確保在高功率系統(tǒng)中保持穩(wěn)定性能。其獨特之處在于其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效降低功率損耗，提升整體能效。FDS6670AMOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及其它高電流場合，以卓越的電氣性能為您的設(shè)計帶來更高水準(zhǔn)的可靠性與效率。

MX150N03NF

DFN-8L(5x6)

MXsemi

晶體管

5000個/圓盤

此款消費級N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，具備30V額定電壓和高達(dá)150A連續(xù)電流承載能力。專為高效電源轉(zhuǎn)換、大電流負(fù)載控制及電池管理系統(tǒng)設(shè)計，提供卓越的功率密度與散熱性能，實現(xiàn)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化與高性能需求。

IRFR1205TRPBF

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備60V的漏源電壓和30A的最大連續(xù)電流，適用于各類高效電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及中高功率開關(guān)控制場合。憑借卓越的性能與穩(wěn)定性，為電路設(shè)計提供強大動力支持。

SI4435DYTRPBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級P溝道MOSFET封裝于SOP-8，特別適用于空間有限的電路設(shè)計。額定電壓30V，可承載最大連續(xù)電流11A，是電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換以及防止反向電流的理想選擇，助力電子產(chǎn)品實現(xiàn)高效能、低損耗的功率管理。

IRF7416TRPBF

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級P溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，專為30V電壓系統(tǒng)設(shè)計，具有高達(dá)9A的連續(xù)電流處理能力。器件具備出色的開關(guān)效率與低導(dǎo)通電阻特性，廣泛應(yīng)用在電池保護、電源管理及高功率負(fù)載切換等領(lǐng)域，是提升電子設(shè)備能效的理想選擇。

IRFR024NTRPBF

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓60V，提供強大的30A電流處理能力。適用于各類中高壓開關(guān)應(yīng)用場合的消費電子產(chǎn)品，具備高效能、低導(dǎo)通電阻和卓越的系統(tǒng)穩(wěn)定性，是電源轉(zhuǎn)換與負(fù)載驅(qū)動的理想之選。

AO4402

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，具有20V額定電壓及高達(dá)20A連續(xù)電流。專為中等功率電子設(shè)備設(shè)計，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載控制和電池管理系統(tǒng)，以緊湊體積提供高效能半導(dǎo)體解決方案。

AOD558

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

這款消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，最大連續(xù)電流高達(dá)80A，專為高功率電子設(shè)備設(shè)計，如電源轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動系統(tǒng)，提供出色的開關(guān)性能及低損耗表現(xiàn)。

FDD306P

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET封裝為TO-252-2L，具備20V電壓額定值及高達(dá)60A的連續(xù)電流處理能力，專為高電流應(yīng)用場景設(shè)計，如電源轉(zhuǎn)換、大功率負(fù)載控制，實現(xiàn)高效能、低損耗開關(guān)操作。

NTD25P03LG

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

此款消費級P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓30V，可穩(wěn)定承載20A電流。專為低壓、高效率的消費電子開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，提供出色的導(dǎo)通性能和能效表現(xiàn)，是提升電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)性能與可靠性的理想半導(dǎo)體組件。

SM4286T9RL

TO-252-2L

MXsemi

晶體管

2500個/圓盤

該消費級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具備100V高耐壓及20A連續(xù)電流處理能力，專為高性能電子設(shè)備設(shè)計，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，提供低損耗、高效能的開關(guān)控制功能。

MX4410S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

本款消費級N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)15A。專為中等功率應(yīng)用設(shè)計，如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及電池管理系統(tǒng)，具有高效率與緊湊體積，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想集成組件。

MX4407S

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

此款消費級P溝道MOSFET采用小型化SOP-8封裝，專為30V電壓環(huán)境設(shè)計，提供高達(dá)12A的連續(xù)大電流處理能力。器件具備卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電池保護、電源轉(zhuǎn)換器以及高效能電子設(shè)備的功率控制解決方案中。

HS1195

SOP-8

MXsemi

晶體管

3000個/圓盤

這款消費級P+P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為30V系統(tǒng)設(shè)計，具備雙P溝道結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)高效能正向?qū)?。額定電流高達(dá)8.5A，適用于電池保護、電源切換等應(yīng)用場景，憑借其出色的低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)性能，成為現(xiàn)代電子設(shè)備理想的高功率控制元件。

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